（32.768KHz晶振规格参数）

12.5PF晶振32.768KHz外部应该匹配多大电容？说明如下：

举例：如根据STM32L011芯片数据手册，可知该芯片可外接32768Hz无源晶振作为RTC时钟信号源，晶振具体电气参数如下：

• 标称频率：32.768KHz

• 负载电容：12.5PF

• 调整频差：±20PPM

由于电路板存在一定量的杂散电容（一般按照3~5PF来计算），我们建议两颗外接电容分别为15~18PF。因为不同电路板设计不同，也有外接电容=22PF条件下晶振处于最佳工作状态的案例。因此，实际电容匹配方案最好根据晶振实测频偏程度来决定。

从技术角度来看，负载电容越大，越会导致晶振起振困难。反之，负载电容越小，晶振越容易起振。但是，此处需要特别指出的是，外接电容起着两个重要重用：一个是提高晶振频率输出的稳定性，另外一个是提高晶振频率输出的精准度。具体表现为：往上微调外接电容，晶振输出频率的稳定性问升高，频率会下降。往下微调外接电容，晶振输出频率的稳定性会下降，频率会上升。因此，外接电容并非越大越好，或者越小越好，而是实现最佳匹配。

（晶诚科技无源贴片晶振SMD3215 32.768KHz电气参数）

由以上可见，当有的工程师为负载电容CL=12.5PF的32768Hz无源晶振匹配两颗27PF外接电容时，就容易发生晶振起振困难或不起振问题了。

总结：

• 负载电容（CL）指的是无源晶振（晶体谐振器）本身电气参数，并不是外接并联电容（外接电容/对地电容）。

• 如果无源晶振的负载电容CL=12.5PF，考虑分布的杂散电容3~5PF，建议15~22PF的外接电容。

• 外接电容增大，晶振输出频率降低，反之，外接电容减小,晶振输出频率升高。当外接电容过大时，容易造成晶振不起振。

拓展阅读：

关于晶诚科技32.768KHz无源晶振负载电容与匹配电容的说明：

若CL=12.5pF，建议C1=C2=15pF~22pF；

若CL=9pF，建议C1=C2=12pF~15pF；

若CL=7pF，建议C1=C2=10pF~12pF；

若CL=6pF，建议C1=C2=8pF~9pF。